为了将这些半导体纳米线结合到纳米电子应用中，容量需要实现低欧姆电阻接触，容量使用Si中的硅化工艺或Ge中的锗化工艺，以有效地从器件注入电流和提取电流。

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图四：电站电力EDX分析铝层结构(a)在380℃下，电站电力Hb加热进行相位传播后，STEM图像(b)EDX超图图五：HAADFSTEM图像及其建议机理    锗原子可以通过表面通道扩散到铝储层，铝原子通过体积扩散提供给反应界面。然而，进入金属和半导体纳米线之间的接触质量大大限制了这些器件的效率以及在新型纳米电子器件中的应用。通过两种热退火技术，容量EDX证实了单晶Al-纳米线的形成，容量揭示了一种双核壳结构，铝核被一层薄的Ge覆盖，同时，铝核也被另一个低Ge浓度区域的Al2O3壳覆盖。

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